삼성전자의 핵심 반도체 기술을 중국 업체에 유출한 사건과 관련해, 검찰이 공범 중 한 명에 대한 신원을 추가로 확보하고 수사를 확대하고 있다. 핵심 피의자인 전직 임원이 이미 1심에서 중형을 선고받은 가운데, 이번 사건은 국내 산업기술 유출 범죄 사상 최대 형량을 기록하며 국가 핵심 기술 보호에 대한 관심이 고조되고 있다.
16일 법조계에 따르면, 서울중앙지법은 지난 14일 산업기술 유출방지법 위반 등의 혐의를 받는 삼성전자 전 직원 A씨에 대해 구속영장을 발부했다. 앞서 서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 삼성전자 기술팀 부장 출신인 김모 씨의 기술 유출에 가담한 혐의로 A씨와 또 다른 공범 B씨를 상대로 구속영장을 청구한 바 있다.
법원은 A씨에 대해 구속영장을 발부했지만, B씨에 대해서는 절차적 사유로 영장을 기각했다. A씨는 삼성전자를 퇴사한 후 김씨가 중국에 설립한 반도체 장비업체에 입사해, 투자 유치 등 회사 운영에 깊이 관여한 것으로 알려졌다.
이번 사건의 주범인 김씨는 2016년 삼성전자를 떠나 중국 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직하면서, 삼성의 18나노 D램 공정 기술을 유출한 혐의로 기소됐다. 그는 1심에서 징역 7년을 선고받았으며, 이는 국가 핵심 기술 유출 사건 가운데 최고 수준의 형량이다.
1심 재판부는 "김씨가 국가핵심기술에 해당하는 삼성전자의 기술 자료를 유출하거나 누설하고, 이를 실제로 사용했다"며 "이는 산업 경쟁을 심각하게 저해하고, 기업의 노력과 자원을 헛되게 하며, 궁극적으로 국가 산업 경쟁력에 심대한 악영향을 미치는 중대한 범죄"라고 지적했다.
최근 기술 유출 범죄에 대한 처벌 수위는 점차 강화되고 있다. 특히 대법원 양형위원회는 지난해 3월, 국가 핵심 기술의 해외 유출 범죄에 대해 최대 징역 18년까지 선고할 수 있도록 양형 기준을 상향 조정했다.
검찰은 구속된 A씨를 포함해 여전히 남아 있는 공범들에 대한 수사를 이어갈 방침이다. 특히 기각된 B씨의 영장 관련 사유를 면밀히 분석한 후, 영장 재청구 여부를 검토할 예정이다.
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