삼성전자가 이달부터 고성능 '10나노급(1나노:10억분의 1미터) 128Gb(기가비트) 낸드플래시 메모리' 본격 양산에 돌입했다고 11일 밝혔다. 이번에 양산에 들어간 128Gb 낸드플래시는 10나노급 3bit MLC 설계를 기반으로 토글(Toggle) DDR 2.0의 고속 인터페이스를 적용한 업계 최고 수준의 고성능 제품으로 특히 10나노급 128Gb 3bit MLC는 20나노급 64Gb ..
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