SK하이닉스는 기존 최고 용량의 2배에 달하는 20나노급 8Gb(기가비트) DDR 4 기반 128GB(기가바이트) 모듈을 세계 처음으로 개발했다고 7일 밝혔다. 이 제품을 내년 상반기부터 본격 양산한다.
하이닉스는 실리콘관통전극(TSV) 기술을 이용해 기존 최고 용량인 64GB의 두 배에 이르는 최대용량을 구현했다. TSV는 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식으로 크기는 줄이면서 성능을 높이는 데 활용됐다. 속도 측면에서도 DDR3의 데이터 전송속도인 1,333Mbps보다 빠른 2,133Mbps를 실현했으며, 64개의 정보 입출 구를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.
SK하이닉스는 최근 8Gb DDR 4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 세계 최초로 연속 개발해 주요 고객에 표본을 제공함으로써 서버용 D램 시장에서도 기술을 선도하게 됐다. SK하이닉스는 이 제품을 내년 상반기부터 본격 양산할 계획이다.
SK하이닉스 D램 개발본부장 홍성주 전무는 "세계 최초로 128GB DDR 4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다"며 "앞으로도 고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것"이라고 말했다.
시장조사기관 가트너의 발표로는 서버용 D램 시장은 모바일 환경 확대에 따라 2018년까지 연평균 37%에 이르는 고성장을 이어갈 전망이다. 하이닉스는 DDR 4 D램은 올해 고객 인증을 시작으로 2016년 이후에는 시장 주력제품이 될 것으로 예상했다.
