삼성전자가 ‘2025년 정기 임원 인사’를 통해 미래 성장을 이끌 신기술 인재들을 대거 발탁하며 주목받고 있다. 회사는 특히 HBM(고대역폭 메모리) 등 차세대 반도체 기술 주도권을 확보해 세계 1위 반도체 기업의 위상을 재건하겠다는 계획이다.
지난달 29일 발표된 정기 임원 인사에서는 부사장, 상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master) 등 총 137명이 승진했다. 이는 전년의 143명보다 다소 줄어든 수치지만, 세대교체와 신기술 강화라는 전략적 방향성을 반영한 인사로 평가된다.
상무급 승진자는 92명으로 전년보다 15명 늘었다. 특히 젊은 기술 인재들이 두각을 나타냈다. 반도체 사업부를 맡는 DS부문에서는 차세대 물질 및 공정 전문가인 김용성 SAIT Device Research Center장이 부사장으로, 세계 최고용량 10나노 5세대 D램(D1b 32Gb DDR5) 개발을 주도한 채교석 DRAM PA3그룹장이 상무로 각각 승진했다.
문광진 반도체연구소 차세대공정개발3팀장 역시 상무로 선임돼 3차원 구조 제품 경쟁력을 강화할 것으로 기대된다. 이 외에도 박일한 플래시설계1그룹장, 김우일 S.LSI사업부 AI SOC-P/J 그룹장 등 다수의 기술 인재들이 주요 임원으로 발탁됐다.
또한 올해 승진자 중에는 최연소 39세 임원이 나왔다. 하지훈 DX부문 CTO SR 통신S/W연구팀 상무는 가상 무선 액세스 네트워크(vRAN) 기술을 주도하며 차세대 통신 플랫폼 설계 분야에서 두각을 나타낸 인물로 평가받았다.
삼성전자는 이번 임원 인사에 이어 반도체 사업부 내 조직 개편도 단행했다. DS부문의 제조 및 기술 담당 조직을 메모리사업부와 파운드리사업부로 나누고, 각각 신경섭 부사장과 홍영기 부사장을 담당자로 내정했다. 업계는 메모리와 파운드리의 공정 성격이 상이한 점을 고려한 맞춤형 인재 배치로 해석하며, 기술 경쟁력을 극대화하려는 전략으로 평가하고 있다.
삼성전자는 반도체뿐 아니라 인공지능(AI)과 차세대 통신에서도 신기술 인재들을 대거 발탁했다. 이번 인사를 통해 AI와 통신 사업의 경쟁력을 한층 더 강화하며 글로벌 시장에서의 입지를 공고히 하겠다는 의지를 드러냈다.
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